Республиканское государственное предприятие
"Национальный институт интеллектуальной собственности"
Министерства юстиции Республики Казахстан
Электронный бюллетень 14'2017
 A B C E F G 
   

B 21 002282
B 61 002281
B 82 002279
002280

ПОЛЕЗНЫЕ МОДЕЛИ
FG4K (12) Патенты

(13) U

(11) 2279

(51) B82B 3/00 (2006.01)
(21) 2016/0447.2
(22) 12.08.2016
(72) Кадыржанов Кайрат Камалович; Здоровец Максим Владимирович; Машенцева Анастасия Александровна; Борисенко Александр Николаевич; Козловский Артем Леонидович; Горин Евгений Геннадьевич; Шлимас Дмитрий Игорьевич
(73) Республиканское государственное предприятие на праве хозяйственного ведения "Евразийский национальный университет им. Л.Н. Гумилева" Министерства образования и науки Республики Казахстан (KZ)
(54) СПОСОБ СИНТЕЗА И МОДИФИКАЦИИ НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ЦИНКА И ОКСИДА ЦИНКА

(57)   1. Способ получения наноструктур на основе цинка и оксида цинка и заключающийся в электрохимическом осаждении наноструктур металлов и сплавов в полимерные матрицы из раствора электролита состоящего из 7-миводного сульфата цинка (ZnSО4х7Н2О) в необходимом молярном соотношении, NH4Cl и NaC2H3О2 x 3Н2О выступающих в качестве буферных агентов между стенками пор шаблонных матриц и ионами металла, образующимися в процессе синтеза, аскорбиновой кислоты, с помощью которой контролируют уровень кислотности раствора электролита, модификации структурных и проводящих свойств ионизирующем излучением, отличающимся тем, что синтезируемые наноструктуры представляют собой полые цилиндры с контролируемой постоянной по всей длине трубки толщиной стенок, а в качестве ионизирующего излучения используется пучок высокоэнергетических электронов.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве шаблонных матриц используются трековые мембраны на основе полиэтилентерефталата, толщиной 12 мкм и плотностью пор от 4.0Е+07 пор/см2.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что разница прикладываемого напряжения в процессе электрохимического осаждения лежит в диапазоне от 1.0 до 1.75 В.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что диапазон энергии электронов составляет от 1.0 до 5.0 МэВ.

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что изменение разности прикладываемого напряжения приводит к изменению кристаллической структуры, в частности, к уменьшению размеров кристаллитов с 41,52 нм для 1,25 В до 29,34 нм для 1,75 В.

6. Способ по п.1, отличающийся тем, что в результате облучения пучком высокоэнергетических электронов величина проводимости нанотрубок увеличивается на 9% при дозе облучения 50 кГр и 12% при дозе облучения 100 кГр.

2279

АСТАНА   (c) РГП "НИИС" МЮ РК, 2017